 |
উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি সুইচ পাওয়ার সাপ্লাই জন্য কম শক্তি ক্ষতি উচ্চ দক্ষতা Schottky ডায়োড
পণ্যের বিবরণ:
| উৎপত্তি স্থল: | ডংগুয়ান চীন |
| পরিচিতিমুলক নাম: | Uchi |
| সাক্ষ্যদান: | CE / RoHS / ISO9001 / UL |
| মডেল নম্বার: | স্কটকি ডায়োডস |
প্রদান:
| ন্যূনতম চাহিদার পরিমাণ: | আলাপ - আলোচনা |
|---|---|
| মূল্য: | Negotiation |
| প্যাকেজিং বিবরণ: | রপ্তানি প্যাকেজ / আলোচনা |
| ডেলিভারি সময়: | আলাপ - আলোচনা |
| পরিশোধের শর্ত: | টি/টি |
| যোগানের ক্ষমতা: | প্রতি মাসে 2000000 |
|
বিস্তারিত তথ্য |
|||
| প্রকার: | স্কটকি ডায়োড | বৈশিষ্ট্য: | সাধারণ ক্যাথোড গঠন |
|---|---|---|---|
| উপাদান: | সিলিকন | Max. সর্বোচ্চ Forward Current ফরোয়ার্ড বর্তমান: | 30A, 30A |
| সর্বোচ্চ সম্মুখ বিভবের: | 0.9V, 0.9V | সর্বোচ্চ বিপরীত ভোল্টেজ: | 200V |
| লক্ষণীয় করা: | উচ্চ দক্ষতা স্কটকি ডায়োড,ইউএল স্কটকি ডায়োড,সিলিকন স্কটকি ব্যারিয়ার ডায়োড |
||
পণ্যের বর্ণনা
উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি স্যুইচ পাওয়ার সাপ্লাইয়ের জন্য কম পাওয়ার লস উচ্চ দক্ষতার স্কটকি ডায়োড
MBR10100.pdf
Schottky ডায়োডের নামকরণ করা হয়েছে এর উদ্ভাবক, ডঃ স্কোটকি (Schottky) এর নামানুসারে এবং SBD হল Schottky Barrier Diode (Schottky Barrier Diode, সংক্ষেপে SBD নামে পরিচিত)।SBD পি-টাইপ সেমিকন্ডাক্টর এবং এন-টাইপ সেমিকন্ডাক্টরের সাথে যোগাযোগ করার নীতি দ্বারা PN জংশন তৈরি করা হয় না, তবে ধাতু এবং সেমিকন্ডাক্টরের সাথে যোগাযোগ করে গঠিত মেটাল-সেমিকন্ডাক্টর সংযোগের নীতি ব্যবহার করে।তাই, SBD কে মেটাল-সেমিকন্ডাক্টর (কন্টাক্ট) ডায়োড বা সারফেস ব্যারিয়ার ডায়োডও বলা হয়, যা এক ধরনের গরম ক্যারিয়ার ডায়োড।
বৈশিষ্ট্য
1. সাধারণ ক্যাথোড গঠন
2. কম শক্তি ক্ষতি, উচ্চ দক্ষতা
3. উচ্চ অপারেটিং জংশন তাপমাত্রা
4. overvoltage সুরক্ষা, উচ্চ নির্ভরযোগ্যতা জন্য গার্ড রিং
5. RoHS পণ্য
অ্যাপ্লিকেশন
1. উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি সুইচ পাওয়ার সাপ্লাই
2. ফ্রি হুইলিং ডায়োড, পোলারিটি সুরক্ষা অ্যাপ্লিকেশন
প্রধান বৈশিষ্ট্য
|
IF(AV) |
10(2×5)A |
|
VF(সর্বোচ্চ) |
0.7V (@Tj=125°C) |
|
টিজে |
175 °সে |
|
ভিআরআরএম |
100 ভি |
পণ্য বার্তা
|
মডেল |
চিহ্নিত করা |
প্যাকেজ |
|
MBR10100 |
MBR10100 |
TO-220C |
|
MBRF10100 |
MBRF10100 |
TO-220F |
|
MBR10100S |
MBR10100S |
TO-263 |
|
MBR10100R |
MBR10100R |
TO-252 |
|
MBR10100V |
MBR10100V |
TO-251 |
|
MBR10100C |
MBR10100C |
TO-220 |
পরম রেটিং (Tc=25°C)
|
প্যারামিটার |
প্রতীক |
মান |
ইউনিট |
||
|
পুনরাবৃত্তিমূলক পিক রিভার্স ভোল্টেজ |
ভিআরআরএম |
100 |
ভি |
||
|
সর্বোচ্চ ডিসি ব্লকিং ভোল্টেজ |
ভিডিসি |
100 |
ভি |
||
|
গড় ফরোয়ার্ড কারেন্ট |
TC=150°C (TO-220/263/252 )TC=125°C(TO-220F) |
ডিভাইস প্রতি
ডায়োড প্রতি |
IF(AV) |
10 5 |
ক |
|
সার্জ নন রিপিটেটিভ ফরওয়ার্ড কারেন্ট ৮.৩ এমএস সিঙ্গেল হাফ-সাইন-ওয়েভ (জেইডিইসি পদ্ধতি) |
আইএফএসএম |
120 |
ক |
||
|
জংশনের সর্বোচ্চ তাপমাত্রা |
টিজে |
175 |
°সে |
||
|
স্টোরেজ তাপমাত্রা পরিসীমা |
টিএসটিজি |
-40~+150 |
°সে |
||
