পিটিসি থার্মিস্টরগুলির কাঠামো এবং কার্যকরী নীতি

সিরামিক উপকরণ সাধারণত উচ্চ প্রতিরোধের জন্য চমৎকার অন্তরক হিসাবে ব্যবহৃত হয়,যখন সিরামিক পিটিসি থার্মিস্টরগুলি ব্যারিয়াম টাইটান্যাট ভিত্তিক এবং অন্যান্য পলিক্রিস্টালিন সিরামিক উপকরণগুলির সাথে ডোপড হয়, কম প্রতিরোধ এবং অর্ধপরিবাহী বৈশিষ্ট্য সঙ্গে।

ক্রিস্টালের গ্রিটস এলিমেন্ট হিসেবে উচ্চতর রাসায়নিক ভ্যালেন্সের উপাদানকে উদ্দেশ্যমূলকভাবে ডোপিং করে গ্রিটসে ব্যারিয়াম আইয়ন বা টাইটান্যাট আইয়নের একটি অংশ উচ্চতর ভ্যালেন্সের আইয়ন দ্বারা প্রতিস্থাপিত হয়,যার ফলে একটি নির্দিষ্ট সংখ্যক মুক্ত ইলেকট্রন যা পরিবাহিতা উৎপন্ন করে.

পিটিসি থার্মিস্টর প্রভাবের কারণ, যা প্রতিরোধের মানের ধাপে ধাপে বৃদ্ধি, কারণ উপাদান কাঠামো অনেক ছোট মাইক্রোক্রিস্টাল গঠিত হয়,যা শস্যের সীমানায় সম্ভাব্য বাধা সৃষ্টি করে (শস্যের সীমানা), ইলেকট্রনগুলিকে সীমানা অতিক্রম করতে এবং সংলগ্ন অঞ্চলে প্রবেশ করতে বাধা দেয়, যার ফলে উচ্চ প্রতিরোধের ফলে হয়। এই প্রভাবটি কম তাপমাত্রায় বাতিল হয়ঃশস্যের সীমানায় উচ্চ ডায়েলক্ট্রিক ধ্রুবক এবং স্বতঃস্ফূর্ত মেরুকরণ তীব্রতা সম্ভাব্য বাধা গঠনের বাধা দেয় এবং কম তাপমাত্রায় ইলেকট্রনগুলি অবাধে প্রবাহিত করতে দেয়উচ্চ তাপমাত্রায়, এই প্রভাব উল্লেখযোগ্যভাবে dielectric ধ্রুবক এবং polarisation তীব্রতা হ্রাস, সম্ভাব্য বাধা এবং প্রতিরোধের একটি উল্লেখযোগ্য বৃদ্ধি নেতৃত্বে,একটি শক্তিশালী PTC প্রভাব প্রদর্শন.